SI8275GBD-IS1R

제품 속성

속성 값

제조사:

실리콘 연구소

제품 카테고리:

게이트 드라이버

제품:

절연 게이트 드라이버

유형:

하프 브리지

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-16

드라이버 수:

2 Driver

출력 수:

2 Output

출력 전류:

10 mA

구성:

듀얼

상승 시간:

10.5 ns

가을 시간:

13.3 ns

공급 전압 - 최소:

2.5 V

공급 전압 - 최대:

5.5 V

전파 지연 - 최대:

75 ns

작동 공급 전류:

8 mA

Pd - 전력 손실:

1.2 W

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

시리즈:

Si8275

포장:

릴

특징:

높은 쪽과 낮은 쪽 종속성

출력 전압:

4.2 V to 30 V

기술:

SiC

상표:

실리콘 연구소

논리 유형:

TTL

일시 휴업:

일시 휴업

상품 유형:

게이트 드라이버

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.7 Ohms

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

PMIC - 전원 관리 IC

Tags

SI8275GBD, SI8275G, SI8275, SI827, SI82, SI8