EM6K31GT2R

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-563-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

250 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.7 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

150 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

EM6K31

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

28 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5 ns

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

18 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3.5 ns

단위 무게:

0.000106 oz

Tags

EM6K31, EM6K3, EM6K, EM6