SIRA10DP-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerPAK-SO-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

60 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.8 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V, - 16 V

Qg - 게이트 차지:

51 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

40 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET, PowerPAK

포장:

릴

키:

1.04 mm

길이:

6.15 mm

시리즈:

선생님

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

5.15 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

52 S

가을 시간:

10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

27 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

부품 번호 별칭:

SIRA10DP-GE3

단위 무게:

0.017870 oz

Tags

SIRA10DP-T, SIRA10D, SIRA10, SIRA1, SIRA, SIR