DMN2013UFDE-7

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

U-DFN2020-E-6

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

10.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

8.4 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

500 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

25.8 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

660 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

DMN2013

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

다이오드 주식회사

가을 시간:

20.8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

24.5 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

66.4 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9.9 ns

단위 무게:

0.000238 oz

Tags

DMN201, DMN20, DMN2, DMN