QS8J4TR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSMT-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

40 mOhms, 40 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

13 nC, 13 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.5 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

QS8J4

트랜지스터 유형:

2 P-Channel

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

50 ns, 50 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

20 ns, 20 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

80 ns, 80 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

8 ns, 8 ns

부품 번호 별칭:

QS8J4

Tags

QS8J4, QS8J, QS8