HGT1S12N60A4S9A

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

E

기술:

시

패키지/케이스:

TO-263AB-3

장착 스타일:

SMD/SMT

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

1200 V

수집기-이미터 포화 전압:

2.7 V

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

25C에서 연속 수집기 전류:

35 A

Pd - 전력 손실:

298 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

HGT1S12N60A4S9A

포장:

릴

연속 수집가 현재 IC 최대:

54 A

키:

4.83 mm

길이:

10.67 mm

너비:

9.65 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

지속적인 수집가 전류:

55 A

게이트-이미터 누설 전류:

+/- 250 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

800

하위 카테고리:

IGBT

단위 무게:

0.046296 oz

Tags

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