IXTH500N04T2

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

500 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

405 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

1 kW

채널 모드:

상승

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

키:

21.46 mm

길이:

16.26 mm

시리즈:

IXTH500N04

유형:

TrenchT2 Power MOSFET

너비:

5.3 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

75 S

가을 시간:

44 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

16 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

68 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

37 ns

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

IXTH50, IXTH5, IXTH, IXT