RU1E002SPTCL

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-323FL-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

250 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

900 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

200 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

RU1E002SP

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

23 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

6 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

20 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4 ns

부품 번호 별칭:

RU1E002SP

Tags

RU1E002SPTC, RU1E002SPT, RU1E, RU1