APTSM120TAM33CTPAG

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

세 단계

Vf - 순방향 전압:

1.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 10 V, 25 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SP6-P

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

포장:

대부분

구성:

마녀

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

가을 시간:

30 ns

Id - 연속 드레인 전류:

112 A

Pd - 전력 손실:

714 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

27 mOhms

상승 시간:

10 ns

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

45 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.7 V

단위 무게:

3.880136 oz

Tags

APTSM1, APTSM, APTS, APT