MRF085HR3

제품 속성

속성 값

제조사:

NXP

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 극성:

듀얼 N-채널

기술:

시

Id - 연속 드레인 전류:

210 mA

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

- 500 mV, 133 V

얻다:

25.6 dB

출력 파워:

85 W

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

NI-650H-4

포장:

릴

동작 주파수:

1.8 MHz to 1215 MHz

시리즈:

MRF085H

유형:

RF 전력 MOSFET

상표:

NXP반도체

채널 수:

2 Channel

Pd - 전력 손실:

235 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 6 V, 10 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.5 V

부품 번호 별칭:

935351494128

단위 무게:

0 oz

Tags

MRF0, MRF