BSC072N04LDATMA1

BSC072N04LDATMA1
Mfr. #:
BSC072N04LDATMA1
제조사:
Infineon Technologies
설명:
MOSFET TRENCH <= 40V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
BSC072N04LDATMA1 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
인피니언
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
TDSON-8
채널 수:
2 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
40 V
Id - 연속 드레인 전류:
20 A
Rds On - 드레인 소스 저항:
7.2 mOhms
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
1.2 V
Vgs - 게이트 소스 전압:
16 V
Qg - 게이트 차지:
52 nC
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 175 C
Pd - 전력 손실:
65 W
구성:
듀얼
채널 모드:
상승
포장:
시리즈:
BSC072N04
트랜지스터 유형:
2 N-Channel
상표:
인피니언 테크놀로지스
가을 시간:
25 ns
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
4 ns
공장 팩 수량:
5000
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
50 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
9 ns
부품 번호 별칭:
BSC072N04LD SP002594350
Tags
BSC072N0, BSC072, BSC07, BSC0, BSC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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영상 부분 # 설명
BSC072N08NS5ATMA1

Mfr.#: BSC072N08NS5ATMA1

OMO.#: OMO-BSC072N08NS5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8
BSC072N03LDGATMA1

Mfr.#: BSC072N03LDGATMA1

OMO.#: OMO-BSC072N03LDGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC072N025S

Mfr.#: BSC072N025S

OMO.#: OMO-BSC072N025S-1190

신규 및 오리지널
BSC072N025S G

Mfr.#: BSC072N025S G

OMO.#: OMO-BSC072N025S-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
BSC072N03LD

Mfr.#: BSC072N03LD

OMO.#: OMO-BSC072N03LD-1190

신규 및 오리지널
BSC072N03LD G

Mfr.#: BSC072N03LD G

OMO.#: OMO-BSC072N03LD-G-1190

Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin TDSON EP
BSC072N03LDG

Mfr.#: BSC072N03LDG

OMO.#: OMO-BSC072N03LDG-1190

30V,20A,Dual N-channel power MOSFET,logic level
BSC072N03LDGATMA1

Mfr.#: BSC072N03LDGATMA1

OMO.#: OMO-BSC072N03LDGATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
BSC072N03LDGATMA1-CUT TAPE

Mfr.#: BSC072N03LDGATMA1-CUT TAPE

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신규 및 오리지널
BSC072N08NS5ATMA1

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RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8
유효성
재고:
Available
주문 시:
2000
수량 입력:
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