SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4210DY-T1-GE3
제조사:
Vishay
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI4210DY-T1-GE3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 실리콘
제품 카테고리
FET - 어레이
시리즈
트렌치FETR
포장
Digi-ReelR 대체 패키징
부분 별칭
SI4210DY-GE3
단위 무게
0.017870 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착형
표면 실장
채널 수
2 Channel
공급자-장치-패키지
8-SO
구성
듀얼
FET형
2 N-Channel (Dual)
파워맥스
2.7W
트랜지스터형
2 N-Channel
드레인-소스 전압 Vdss
30V
입력-커패시턴스-Ciss-Vds
445pF @ 15V
FET 기능
로직 레벨 게이트
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
6.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
12nC @ 10V
Pd 전력 손실
2.7 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
Vgs 게이트 소스 전압
20 V
Id-연속-드레인-전류
6.5 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
35.5 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
Tags
SI4210DY, SI4210D, SI4210, SI421, SI42, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Dual N Channel Mosfet, 30V, 6.5A
***ment14 APAC
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.5A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.5A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:5.2A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0295ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI4210DY-T1-GE3
DISTI # SI4210DY-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
855In Stock
  • 500:$0.3966
  • 100:$0.5353
  • 10:$0.6940
  • 1:$0.7900
SI4210DY-T1-GE3
DISTI # SI4210DY-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 2500:$0.2791
SI4210DY-T1-GE3
DISTI # SI4210DY-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
Limited Supply - Call
    SI4210DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4210DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    2500
    • 1:$0.7000
    • 10:$0.5590
    • 100:$0.4240
    • 500:$0.3500
    • 1000:$0.2800
    • 2500:$0.2540
    • 5000:$0.2370
    • 10000:$0.2280
    • 25000:$0.2190
    영상 부분 # 설명
    SI4210D-GMR

    Mfr.#: SI4210D-GMR

    OMO.#: OMO-SI4210D-GMR-1190

    신규 및 오리지널
    SI4210DGM

    Mfr.#: SI4210DGM

    OMO.#: OMO-SI4210DGM-1190

    신규 및 오리지널
    SI4210DY

    Mfr.#: SI4210DY

    OMO.#: OMO-SI4210DY-1190

    신규 및 오리지널
    SI4210DY-T1-E3

    Mfr.#: SI4210DY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4210DY-T1-E3-1190

    신규 및 오리지널
    SI4210DY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4210DY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4210DY-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    2500
    수량 입력:
    SI4210DY-T1-GE3의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
    참고 가격(USD)
    수량
    단가
    내선 가격
    1
    US$0.33
    US$0.33
    10
    US$0.31
    US$3.12
    100
    US$0.30
    US$29.57
    500
    US$0.28
    US$139.60
    1000
    US$0.26
    US$262.80
    2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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