RGTH00TS65DGC11

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

TO-247-3

장착 스타일:

구멍을 통해

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

650 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.6 V

최대 게이트 이미터 전압:

30 V

25C에서 연속 수집기 전류:

85 A

Pd - 전력 손실:

277 W

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

시리즈:

RGTH00TS65

포장:

튜브

연속 수집가 현재 IC 최대:

85 A

작동 온도 범위:

- 40 C to + 175 C

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

50 A

게이트-이미터 누설 전류:

+/- 200 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

450

하위 카테고리:

IGBT

부품 번호 별칭:

RGTH00TS65D

단위 무게:

1.340411 oz

Tags

RGTH00TS, RGTH0, RGTH, RGT