IRF9389TRPBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

6.8 A, 4.6 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

6.8 nC, 8.1 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2 W

구성:

듀얼

상표명:

헥스펫

포장:

릴

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

시리즈:

IRF939

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

너비:

3.9 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

8.2 S, 4.1 S

가을 시간:

3.9 ns, 15 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4.8 ns, 14 ns

공장 팩 수량:

4000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

4.9 ns, 17 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

5.1 ns, 8 ns

부품 번호 별칭:

SP001551666

단위 무게:

0.017870 oz

Tags

IRF938, IRF93, IRF9, IRF