PSMN8R5-60YS,115

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

LFPAK56-5

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

76 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

12.8 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.6 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

39 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

106 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

1.1 mm

길이:

5 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

N-Channel LFPAK 60 V 8 mOhms Standard Level MOSFET

너비:

4.1 mm

상표:

넥스페리아

가을 시간:

9.2 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

13.7 ns

공장 팩 수량:

1500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

32.4 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

18.4 ns

Tags

PSMN8R5-6, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM