IXTH1N200P3

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

2 kV

Id - 연속 드레인 전류:

1 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

40 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

23.5 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

125 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

시리즈:

Polar3

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

400 mS

가을 시간:

80 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

26 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

37 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

16 ns

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

IXTH1N2, IXTH1N, IXTH1, IXTH, IXT