TSM1N45DCS RLG

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOP-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

450 V

Id - 연속 드레인 전류:

500 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.4 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

6.5 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

900 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

대만 반도체

가을 시간:

36 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

21 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

23 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7.5 ns

Tags

TSM1N45D, TSM1N4, TSM1N, TSM1, TSM