TSB772CK B0G

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-126-3

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

- 30 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

- 50 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

- 5 V

수집기-이미터 포화 전압:

- 0.3 V

최대 DC 수집기 전류:

- 3 A

이득 대역폭 곱 fT:

80 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

500

포장:

릴

상표:

대만 반도체

지속적인 수집가 전류:

- 3 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

100

Pd - 전력 손실:

1 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.014110 oz

Tags

TSB772C, TSB77, TSB7, TSB