CSD25484F4T

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PICOSTAR-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

825 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

12 V

Qg - 게이트 차지:

1.09 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

500 mW (1/2 W)

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

FemtoFET

포장:

릴

키:

0.2 mm

길이:

1 mm

시리즈:

CSD25484F4

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

너비:

0.6 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

3.5 S

가을 시간:

8.5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5 ns

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

18 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9.5 ns

단위 무게:

0.000014 oz

Tags

CSD2548, CSD254, CSD25, CSD2, CSD