DMG6601LVT-7

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSOT-26-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.8 A, 2.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

55 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

500 mV, 400 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

12.3 nC, 13.8 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.3 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

DMG6601

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

상표:

다이오드 주식회사

가을 시간:

15.6 ns, 2.2 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

7.4 ns, 4.6 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

31.2 ns, 18.3 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

1.6 ns, 1.7 ns

단위 무게:

0.000459 oz

Tags

DMG6601, DMG66, DMG6, DMG