IXTH3N120

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1.2 kV

Id - 연속 드레인 전류:

3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

39 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

150 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

21.46 mm

길이:

16.26 mm

시리즈:

IXTH3N120

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

고전압 전력 MOSFET

너비:

5.3 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1.5 S

가을 시간:

18 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

32 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

17 ns

단위 무게:

0.229281 oz

Tags

IXTH3N1, IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT