MRF6S18100NBR1

제품 속성

속성 값

제조사:

NXP

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

E

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

68 V

얻다:

14.5 dB

출력 파워:

100 W

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-272-4

포장:

릴

구성:

하나의

키:

2.64 mm

길이:

23.67 mm

동작 주파수:

1.8 GHz to 2 GHz

유형:

RF 전력 MOSFET

너비:

9.07 mm

상표:

NXP / 프리스케일

채널 모드:

상승

습기에 민감한:

네

Pd - 전력 손실:

343 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

단위 무게:

0.067412 oz

Tags

MRF6S1810, MRF6S181, MRF6S18, MRF6S1, MRF6S, MRF6, MRF