VND5N07-E

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

70 V

Id - 연속 드레인 전류:

5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

200 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

800 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

18 nC

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

60 W

구성:

하나의

자격:

AEC-Q101

포장:

튜브

시리즈:

VND5N07-E

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

파워 MOSFET

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

3 S

가을 시간:

1100 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

400 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

3900 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

150 ns

단위 무게:

0.139332 oz

Tags

VND5N0, VND5N, VND5, VND