SIRB40DP-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerPAK-SO-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

40 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.25 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 16 V, 20 V

Qg - 게이트 차지:

93 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

46.2 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET, PowerPAK

포장:

릴

키:

1.04 mm

길이:

6.15 mm

시리즈:

선생님

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5.15 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

76 S

가을 시간:

12 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

96 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

30 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

29 ns

단위 무게:

0.017870 oz

Tags

SIRB, SIR