FQI9N08LTU

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-262-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

80 V

Id - 연속 드레인 전류:

9.3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

210 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

3.75 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

7.88 mm

길이:

10.29 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

4.83 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

가을 시간:

30 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

180 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6.5 ns

단위 무게:

0.084199 oz

Tags

FQI9N0, FQI9N, FQI9, FQI