2N5655G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-225-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

250 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

275 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

1 V

최대 DC 수집기 전류:

0.5 A

이득 대역폭 곱 fT:

10 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2N5655

키:

11.04 mm (Max)

길이:

7.74 mm (Max)

포장:

대부분

너비:

2.66 mm (Max)

상표:

온세미컨덕터

지속적인 수집가 전류:

0.5 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

30

Pd - 전력 손실:

20 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.021200 oz

Tags

2N565, 2N56, 2N5