UMY1NTR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-353-5

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

듀얼

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

- 6 V, 7 V

수집기-이미터 포화 전압:

- 0.5 V, 0.4 V

최대 DC 수집기 전류:

0.15 A

이득 대역폭 곱 fT:

140 MHz, 180 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

UMY1N

DC 전류 이득 hFE 최대:

560

키:

0.9 mm

길이:

2 mm

포장:

릴

너비:

1.25 mm

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

150 mA

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

120

Pd - 전력 손실:

150 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

UMY1N

단위 무게:

0.000212 oz

Tags

UMY1NTR, UMY1NT, UMY1N, UMY1, UMY