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SI7328DN-T1-GE3

SI7328DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7328DN-T1-GE3
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI7328DN-T1-GE3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이
제품 카테고리
FET - 단일
포장
릴
부분 별칭
SI7328DN-GE3
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
PowerPAK-1212-8
기술
시
채널 수
1 Channel
구성
하나의
트랜지스터형
1 N-Channel
Pd 전력 손실
3.78 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 50 C
가을철
8 ns
상승 시간
10 ns
Vgs 게이트 소스 전압
12 V
Id-연속-드레인-전류
18.9 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
6.6 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
일반 꺼짐 지연 시간
35 ns
일반 켜기 지연 시간
10 ns
채널 모드
상승
Tags
SI7328, SI732, SI73, SI7
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 30 V 0.0066 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
***
30-V (D-S) N-CHANNEL
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:35000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0076ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.78W ;RoHS Compliant: Yes
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI7328DN-T1-GE3
DISTI # SI7328DN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.0395
SI7328DN-T1-GE3
DISTI # SI7328DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7328DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.8889
  • 6000:$0.8629
  • 12000:$0.8279
  • 18000:$0.8049
  • 30000:$0.7829
SI7328DN-T1-GE3
DISTI # SI7328DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7328DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SI7328DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7328DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI7328DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10VAmericas -
        SI7328DN-T1-GE3
        DISTI # 2478971        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:£0.9230
        • 6000:£0.9000
        SI7328DN-T1-GE3
        DISTI # 2478971        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:$1.6500
        영상 부분 # 설명
        SI7328DN-T1-GE3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-GE3

        		 MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
        SI7328DN-T1-E3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-E3

        		 MOSFET 30V 35A 52W
        SI7328DN-T1-E3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-E3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 35A 52W
        SI7328DN-T1-GE3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
        SI7328DN-T1-GE3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI7328DN-T1-GE3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

        		 신규 및 오리지널
        유효성
        재고:
        Available
        주문 시:
        5500
        수량 입력:
        SI7328DN-T1-GE3의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
        참고 가격(USD)
        수량
        단가
        내선 가격
        1
        US$1.21
        US$1.21
        10
        US$1.15
        US$11.48
        100
        US$1.09
        US$108.80
        500
        US$1.03
        US$513.75
        1000
        US$0.97
        US$967.10
        2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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