TSM650P03CX RFG

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

4.1 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

55 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

400 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

8 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.56 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

상표:

대만 반도체

가을 시간:

12.4 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

19.4 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

45.9 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

5.4 ns

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM