IPB123N10N3 G

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

58 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

10.7 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

35 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

94 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

옵티모스

포장:

릴

키:

4.4 mm

길이:

10 mm

시리즈:

OptiMOS 3

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

OptiMOS 3 Power-Transistor

너비:

9.25 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

29 S

가을 시간:

5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

8 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

24 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

14 ns

부품 번호 별칭:

IPB123N10N3GATMA1 IPB123N1N3GXT SP000485968

단위 무게:

0.139332 oz

Tags

IPB123N10N3, IPB123, IPB12, IPB1, IPB