IXFX21N100F

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Id - 연속 드레인 전류:

21 A

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1000 V

Rds On - 드레인 소스 저항:

500 mOhms

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

포장:

튜브

구성:

1 N-Channel

키:

21.34 mm

길이:

16.13 mm

너비:

5.21 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

15 S

채널 수:

1 Channel

채널 모드:

상승

가을 시간:

15 ns

Pd - 전력 손실:

500 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

Qg - 게이트 차지:

160 nC

상승 시간:

16 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

단위 무게:

0.158733 oz

Tags

IXFX21, IXFX2, IXFX, IXF