IXFN94N50P2

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SOT-227B-4

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

구성:

하나의

기술:

시

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

11 ns

Id - 연속 드레인 전류:

68 A

작동 공급 전압:

-

Pd - 전력 손실:

780 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

55 mOhms

상승 시간:

34 ns

공장 팩 수량:

10

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

HiPerFET

일반적인 끄기 지연 시간:

67 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

15 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Tags

IXFN9, IXFN, IXF