BSM50GAL120DN2

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

IGBT 모듈

RoHS:

Y

제품:

IGBT 실리콘 모듈

구성:

하프 브리지

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

1200 V

수집기-이미터 포화 전압:

2.5 V

25C에서 연속 수집기 전류:

78 A

게이트-이미터 누설 전류:

400 nA

Pd - 전력 손실:

400 W

패키지/케이스:

Half Bridge GAL 1

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

쟁반

키:

30.5 mm

길이:

94 mm

너비:

34 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

장착 스타일:

섀시 마운트

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

상품 유형:

IGBT 모듈

공장 팩 수량:

10

하위 카테고리:

IGBT

부품 번호 별칭:

BSM50GAL120DN2HOSA1 SP000101727

단위 무게:

8.818490 oz

Tags

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