IXTZ550N055T2

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

DE-475-6

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

55 V

Id - 연속 드레인 전류:

550 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

595 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

600 W

채널 모드:

상승

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

키:

3.18 mm

길이:

21.08 mm

시리즈:

IXTZ550N055

유형:

TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

너비:

23.11 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

95 S

가을 시간:

230 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

40 ns

공장 팩 수량:

20

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

90 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

45 ns

단위 무게:

0.105822 oz

Tags

IXT