CGH55030F2

제품 속성

속성 값

제조사:

주식회사 크리

제품 카테고리:

RF JFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

헴트

기술:

GaN

얻다:

12 dB

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

120 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:

- 10 V to 2 V

Id - 연속 드레인 전류:

3 A

출력 파워:

25 W

최대 드레인 게이트 전압:

-

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

-

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

440166

포장:

쟁반

애플리케이션:

-

구성:

하나의

키:

3.43 mm

길이:

14.09 mm

동작 주파수:

4.5 GHz to 6 GHz

작동 온도 범위:

-

제품:

GaN HEMT

너비:

4.19 mm

상표:

울프스피드 / 크리어

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

-

게이트 소스 차단 전압:

-

등급:

-

가을 시간:

-

NF - 노이즈 피겨:

-

P1dB - 압축점:

-

상품 유형:

RF JFET 트랜지스터

Rds On - 드레인 소스 저항:

-

상승 시간:

-

공장 팩 수량:

60

하위 카테고리:

트랜지스터

일반적인 끄기 지연 시간:

-

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

- 3 V

Tags

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