STS8C5H30L

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

5.4 A, 8 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

7 nC, 12.5 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.6 W, 2 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

1.65 mm

길이:

5 mm

시리즈:

STS8C5H30L

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

유형:

MOSFET

너비:

4 mm

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

8.5 S, 10 S

가을 시간:

8 ns, 35 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

14.5 ns, 35 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

23 ns, 125 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns, 25 ns

단위 무게:

0.002998 oz

Tags

STS8C5, STS8C, STS8, STS