CDM2205-800FP

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220FP-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

800 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.7 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

17.4 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

48 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

시리즈:

CDM2205

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

중앙반도체

가을 시간:

30 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

27 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

44 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

13 ns

부품 번호 별칭:

CDM2205-800FP PBFREE

Tags

CDM220, CDM22, CDM2, CDM