IXTH102N15T

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

150 V

Id - 연속 드레인 전류:

102 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

18 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

87 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

455 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

HiPerFET

키:

21.46 mm

길이:

16.26 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

5.3 mm

상표:

익시스

가을 시간:

22 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

14 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

25 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

20 ns

단위 무게:

0.229281 oz

Tags

IXTH102, IXTH10, IXTH1, IXTH, IXT