HIP2100EIBZ

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

게이트 드라이버

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-EP-Narrow-8

드라이버 수:

2 Driver

출력 수:

2 Output

출력 전류:

2 A

상승 시간:

10 ns

가을 시간:

10 ns

공급 전압 - 최대:

14 V

전파 지연 - 최대:

35 ns

작동 공급 전류:

2.5 mA

Pd - 전력 손실:

3.1 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

HIP2100

포장:

튜브

특징:

독립적 인

키:

1.55 mm

길이:

4.98 mm

기술:

시

너비:

3.99 mm

상표:

르네사스 / 인터실

최대 끄기 지연 시간:

8 ns

최대 켜기 지연 시간:

8 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

게이트 드라이버

공장 팩 수량:

98

하위 카테고리:

PMIC - 전원 관리 IC

단위 무게:

0.002646 oz

Tags

HIP2100E, HIP2100, HIP210, HIP21, HIP2, HIP