APT33N90JCU3

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

유형:

스위칭 다이오드

Vf - 순방향 전압:

3.1 V

Vr - 역 전압:

1200 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

ISOTOP-4

포장:

튜브

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

25 ns

Id - 연속 드레인 전류:

33 A

Pd - 전력 손실:

290 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

120 mOhms

상승 시간:

20 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

400 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

70 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

900 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.5 V

단위 무게:

1 oz

Tags

APT33N, APT33, APT3, APT