CG2H80030D-GP4

제품 속성

속성 값

제조사:

주식회사 크리

제품 카테고리:

RF JFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

헴트

기술:

GaN

얻다:

17 dB

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:

- 10 V to 2 V

Id - 연속 드레인 전류:

0.8 A

출력 파워:

6 W

최대 드레인 게이트 전압:

-

최소 작동 온도:

-

최대 작동 온도:

-

Pd - 전력 손실:

-

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

주사위

포장:

젤팩

애플리케이션:

-

구성:

하나의

키:

100 um

길이:

840 um

동작 주파수:

10 MHz to 18 GHz

작동 온도 범위:

-

제품:

GaN HEMT

너비:

800 um

상표:

울프스피드 / 크리어

게이트 소스 차단 전압:

-

등급:

-

개발 키트:

-

가을 시간:

-

NF - 노이즈 피겨:

-

P1dB - 압축점:

-

상품 유형:

RF JFET 트랜지스터

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.3 Ohms

상승 시간:

-

공장 팩 수량:

10

하위 카테고리:

트랜지스터

일반적인 끄기 지연 시간:

-

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2