BUK762R0-40C,118

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

100 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

175 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

333 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

포장:

릴

키:

4.5 mm

길이:

10.3 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

N-채널 TrenchMOS 표준 레벨 FET

너비:

9.4 mm

상표:

넥스페리아

가을 시간:

119 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

133 ns

공장 팩 수량:

800

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

146 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

65 ns

Tags

BUK762R0, BUK762R, BUK762, BUK76, BUK7, BUK