APT30M19JVR

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

섀시 마운트

패키지/케이스:

SOT-227-4

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

300 V

Id - 연속 드레인 전류:

130 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

19 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

975 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

700 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

가을 시간:

10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

33 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

70 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

22 ns

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

APT30M19, APT30M1, APT30M, APT30, APT3, APT