NP90N04VUG-E1-AY

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

90 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.2 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

90 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

105 W

구성:

하나의

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

르네사스 전자

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

51 S

가을 시간:

11 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

20 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

65 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

32 ns

단위 무게:

0.011993 oz

Tags

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