NVMFS6H836NWFT1G

NVMFS6H836NWFT1G
Mfr. #:
NVMFS6H836NWFT1G
제조사:
ON Semiconductor
설명:
MOSFET T8 80V SO8FL
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
NVMFS6H836NWFT1G 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
온세미컨덕터
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
기술:
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
DFN-5
채널 수:
1 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
80 V
Id - 연속 드레인 전류:
80 A
Rds On - 드레인 소스 저항:
6.7 mOhms
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
2 V
Vgs - 게이트 소스 전압:
20 V
Qg - 게이트 차지:
25 nC
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 175 C
Pd - 전력 손실:
89 W
구성:
하나의
채널 모드:
상승
자격:
AEC-Q101
포장:
상표:
온세미컨덕터
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
97 S
가을 시간:
34 ns
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
45 ns
공장 팩 수량:
1500
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
41 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
16 ns
Tags
NVMFS6H, NVMFS6, NVMFS, NVMF, NVM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
영상 부분 # 설명
NVMFS6H800NT1G

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OMO.#: OMO-NVMFS6H800NT1G

MOSFET TRENCH 8 80V NFET
NVMFS6H818NWFT1G

Mfr.#: NVMFS6H818NWFT1G

OMO.#: OMO-NVMFS6H818NWFT1G

MOSFET TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
NVMFS6H864NT1G

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OMO.#: OMO-NVMFS6H864NT1G

MOSFET T8 80V SO8FL
NVMFS6H800NWFT1G

Mfr.#: NVMFS6H800NWFT1G

OMO.#: OMO-NVMFS6H800NWFT1G

MOSFET TRENCH 8 80V NFET
NVMFS6H848NT1G

Mfr.#: NVMFS6H848NT1G

OMO.#: OMO-NVMFS6H848NT1G

MOSFET T8 80V SG SO-8FL-U
NVMFS6H836NT1G

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MOSFET T8 80V SO8FL
NVMFS6H858NWFT1G

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MOSFET TRENCH 8 80V NFET
NVMFS6H858NT1G

Mfr.#: NVMFS6H858NT1G

OMO.#: OMO-NVMFS6H858NT1G-1190

MOSFET TRENCH 8 80V NFET
NVMFS6H800NWFT1G

Mfr.#: NVMFS6H800NWFT1G

OMO.#: OMO-NVMFS6H800NWFT1G-ON-SEMICONDUCTOR

Power MOSFET 80 V, 2.1 mW, 203 A, Single N-Channel
NVMFS6H864NT1G

Mfr.#: NVMFS6H864NT1G

OMO.#: OMO-NVMFS6H864NT1G-ON-SEMICONDUCTOR

T8 80V SO8FL
유효성
재고:
Available
주문 시:
4000
수량 입력:
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