BSO612CV G

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

120 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

SIPMOS

포장:

릴

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

시리즈:

BSO612

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

너비:

3.9 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1.2 S

가을 시간:

30 ns, 95 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

35 ns, 60 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

25 ns, 145 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns, 15 ns

부품 번호 별칭:

BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307

단위 무게:

0.019048 oz

Tags

BSO612CVG, BSO612, BSO61, BSO6, BSO