NTS2101PT1G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-323-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

8 V

Id - 연속 드레인 전류:

1.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

100 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

450 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

6.4 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

290 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.85 mm

길이:

2.1 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

NTS2101P

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

유형:

MOSFET

너비:

1.24 mm

상표:

온세미컨덕터

가을 시간:

18 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

26 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6.2 ns

단위 무게:

0.000176 oz

Tags

NTS2101PT1G, NTS2101PT1, NTS2101PT, NTS2101, NTS21, NTS2, NTS