SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4963BDY-T1-GE3
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI4963BDY-T1-GE3 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
SI4963BDY-T1-GE3 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 실리콘
제품 카테고리
FET - 어레이
시리즈
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부분 별칭
SI4963BDY-GE3
단위 무게
0.006596 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착형
표면 실장
채널 수
2 Channel
공급자-장치-패키지
8-SO
구성
듀얼
FET형
2 P-Channel (Dual)
파워맥스
1.1W
트랜지스터형
2 P-Channel
드레인-소스 전압 Vdss
20V
입력-커패시턴스-Ciss-Vds
-
FET 기능
로직 레벨 게이트
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
4.9A
Rds-On-Max-Id-Vgs
32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.4V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
21nC @ 4.5V
Pd 전력 손실
1.1 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
55 ns
상승 시간
40 ns
Vgs 게이트 소스 전압
12 V
Id-연속-드레인-전류
4.9 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
32 mOhms
트랜지스터 극성
P-채널
일반 꺼짐 지연 시간
80 ns
일반 켜기 지연 시간
30 ns
채널 모드
상승
Tags
SI4963, SI496, SI49, SI4
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Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI4963BDY-T1-GE3
DISTI # SI4963BDY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.8167
SI4963BDY-T1-GE3
DISTI # SI4963BDY-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4963BDY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$0.6379
  • 5000:$0.6189
  • 10000:$0.5939
  • 15000:$0.5779
  • 25000:$0.5619
SI4963BDY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4963BDY-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 2500:$0.6150
  • 5000:$0.5840
  • 10000:$0.5620
영상 부분 # 설명
SI4963BDY-T1-E3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-E3

MOSFET 20V 6.2A 2W
SI4963BDY-T1-GE3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-GE3

MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
SI4963BDY-T1-GE3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V
SI4963BDY-T1-E3

Mfr.#: SI4963BDY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4963BDY-T1-E3-VISHAY

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
유효성
재고:
Available
주문 시:
1500
수량 입력:
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참고 가격(USD)
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단가
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US$0.84
US$0.84
10
US$0.80
US$8.01
100
US$0.76
US$75.86
500
US$0.72
US$358.20
1000
US$0.67
US$674.30
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