PSMN1R0-25YLDX

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

LFPAK56-5

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

25 V

Id - 연속 드레인 전류:

100 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

890 uOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

71.8 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

160 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

넥스페리아

가을 시간:

24.5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

36 ns

공장 팩 수량:

1500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

34 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

30.3 ns

단위 무게:

0.002974 oz

Tags

PSMN1R0, PSMN1R, PSMN1, PSMN, PSM