2SD1863TV2R

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

장착 스타일:

구멍을 통해

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

80 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

100 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

최대 DC 수집기 전류:

1 A

이득 대역폭 곱 fT:

100 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

180 at 500 mA, 3 V

키:

4.4 mm

길이:

6.8 mm

너비:

2.5 mm

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

1 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

180

Pd - 전력 손실:

1200 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

2SD186, 2SD18, 2SD1, 2SD